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ag九游会官网|韩开发出石墨烯合成新方法--与微电子兼容

发布时间:2021-06-28    来源:九游会ag官网52971

本文摘要:最近,韩国的研究人员开发了与微电子相容的方法来生长石墨烯,在硅基础上顺利制作了晶片级(直径4英寸)的高品质多层石墨烯。

最近,韩国的研究人员开发了与微电子相容的方法来生长石墨烯,在硅基础上顺利制作了晶片级(直径4英寸)的高品质多层石墨烯。该方法基于离子注入技术,非常简单,可以升级。这种成果使石墨烯更接近商业应用。晶圆级石墨烯可能是微电子线路不可或缺的组成部分,但大多数石墨烯生产方法与硅微电子设备不相容,阻碍了石墨烯从潜在材料到实际应用的横跨。

为了将石墨烯与先进设备的硅微电子设备相结合,大石墨烯不能起皱,必须在低温下溶解在硅晶片上,传统的石墨烯制备技术拒绝高温。研究小组负责人、韩国高丽大学化学和生物工程系教授金智贤表示,碳离子注入技术在必要的集成电路制备的晶片级石墨烯方面具有相当大的潜力。金智贤认为,传统化学气相沉淀法拒绝温度在1000℃以上,可在铜、镍膜上大面积制备石墨烯,移至硅基,不会脱落、起皱、污染。

他的方法是基于离子注入。这是微电子互换技术,一般用于半导体混合。碳离子在电场加速,撞到由镍、二氧化硅和硅构成的材料表面,温度只有500℃。镍层碳溶解度高,作为制备石墨烯的催化剂。

然后经过高温活化热处理构成石墨烯蜂窝状晶格。他们还系统研究了制备过程中各种热处理条件的效果,包括环境压力、周围气体和处理时间。金智贤表示,离子注入技术对产品结构的控制比其他生产方法细致。

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因为通过控制碳离子注入的剂量,可以正确控制石墨烯层的厚度。我们的制作方法效率高,而且可以升级,可以根据硅晶片的大小(直径达到300毫米)分解石墨烯。

下一步,研究人员希望之后减少制备技术的温度,控制石墨烯的厚度作为工业生产使用。


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